SÃO PAULO--(
BUSINESS WIRE-
DINO - 24 fev, 2017) -
A Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd. ("PSCS", sede: cidade deNagaokakyo, Prefeitura de Kyoto; Presidente: Kazuhiro Koyama) alcançouum acordo com a United Microelectronics Corporation ("UMC", sede: cidadede Hsinchu, Taiwan, CEO: Po Wen Yen) sobre o desenvolvimento conjunto doprocesso de produção em massa para a ReRAM de 40 nm da próxima geração[1].
ReRAM, como a memória flash [2] atualmente em usogeneralizado, é um tipo de memória não-volátil[3]. Odispositivo possui uma estrutura simples, processamento de altavelocidade e baixo consumo de energia. A PSCS começou a produção emmassa de ReRAM usando um processo de 180 nm em 2013, e está atualmentefornecendo sua série MN101LR de microcomputadores de 8 bits paraaplicações de baixo consumo de energia, como em dispositivos portáteisde saúde. A empresa foi a primeira a testar e a verificar a altaconfiabilidade de arrays de memória pelo processo 40 nm.
O projeto em colaboração, objeto do acordo, permitirá a integração detecnologias para ReRAM com processo 40 nm desenvolvidas pela PSCS com astecnologias de processo CMOS da UMC, de alta confiabilidade. Issopermitirá uma plataforma de processo para ReRAM que será aplicável, comomemórias embutidas, para substituir as memórias flash em diversosdispositivos de sistema, como os amplamente usados em cartões IC,terminais vestíveis e em dispositivos de IoT.
A PSCS enviará amostras de produtos em 2018 já usando o processo 40 nm,e será a primeira a iniciar a produção em massa no setor. As duasempresas, PSCS e UMC, oferecerão a plataforma de processo ReRAMdesenvolvida em conjunto a outros fabricantes e fornecedores desemicondutores de todo o mundo.
Em relação a este programa de cooperação, o presidente da PSCS, KazuhiroKoyama, disse: "A empresa fornecerá uma ampla gama de ótimos produtos,que atenderá as necessidades do consumidor ao desenvolver uma plataformaexpansível de processo que acelerará a adoção de ReRAM pelo mercado, ecom produção em massa no setor iniciada pela PSCS".
"Estamos empolgados em realizar este acordo inicial com a Panasonic",disse o vice-presidente sênior da UMC, S. C. Chien. "A comprovadaconfiabilidade, os rápidos tempos de ciclo e a alta produtividade denosso processo 40 nm elevará a competitividade do ReRAM da Panasonic, oque resultará em benefícios mútuos para as duas empresas enquanto oproduto ganha ampla adoção pelo mercado. Esperamos trabalhar com aPanasonic para trazer o ReRAM de 40 nm deles para uma produção em altovolume".
Sobre a Panasonic
A PanasonicCorporation é líder mundial no desenvolvimento de diversas tecnologias esoluções eletrônicas para os clientes nos setores de eletrônicos,habitação, automotivo, soluções corporativas e indústrias dedispositivos. Desde sua fundação em 1918, a empresa expandiumundialmente e hoje opera 474 subsidiárias e 94 sociedades coligadas emtodo o mundo, registrando vendas líquidas consolidadas de 7,553 trilhõesde ienes no ano fiscal encerrado em 31 de março de 2016. Empenhada nabusca de novos valores por meio da inovação entre todas as linhasdivisionais, a empresa emprega suas tecnologias para criar uma vidamelhor e um mundo melhor para seus clientes. Para saber mais sobre aPanasonic, acesse:
http://www.panasonic.com/global.
Sobre a UMC (United MicroelectronicsCorporation)
A UMC é a líder global em fabricação desemicondutores que proporciona produção IC avançada para aplicaçõesabrangendo todos os principais campos do setor de eletrônica. As 10fábricas wafer da UMS estão estrategicamente localizadas pela Ásia epodem produzir mais de 500 mil wafers por mês. A empresa emprega mais de17 mil pessoas em todo o mundo, com escritórios localizados em Taiwan,China continental, Europa, Japão, Coreia do Sul, Singapura e EstadosUnidos.UMC: http://www.umc.com
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Terminologia |
| [1] | | ReRAM (Resistive Random Access Memory ou Memória de Acesso Aleatória
Resistiva) |
| | Memória não volátil, que gera amplas diferenças de resistência ao
aplicar voltagens de pulso a finas películas de óxido de metal para
armazenar "0s" e "1s". A memória possui uma estrutura simples, que
compreende óxidos de metal intercalados por eletrodos, permitindo um
processo simples de fabricação, e possui características
excepcionais, que incluem baixo consumo de energia e regravação de
alta velocidade. |
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| [2] | | Memória flash |
| | Memória não volátil, que pode ser eletricamente apagada e regravada. |
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| [3] | | Memória não volátil |
| | Memória em supercondutor, que retém dados mesmo quando não há
fornecimento de energia. |
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Fonte: BUSINESS WIRE
