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29 de setembro de 2026, às 09:00
Nova York, 29/09/2026 – A Navitas Semiconductor recebeu uma subvenção do Exército dos EUA para desenvolver tecnologia de semicondutores de potência em carbeto de silício (SiC) de 10 quilovolts.
A empresa de semicondutores contribuirá para o projeto Alattis, com o objetivo de desenvolver, implementar e validar um novo processo doméstico de fabricação de dispositivos semicondutores de ultra-alta tensão, por meio de projeto, fabricação e testes. O projeto é patrocinado pelo Army Research Lab, que opera sob a divisão do Comando de Desenvolvimento de Capacidades de Combate do Exército.
O programa foi concebido para acelerar o desenvolvimento de transistores bipolares de porta isolada (IGBTs) em carbeto de silício e de tecnologias associadas para sistemas de missão crítica usados pelas Forças Armadas. Fonte: Dow Jones Newswires.
*Conteúdo traduzido com auxílio de Inteligência Artificial, revisado e editado pela Redação da Broadcast
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